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    納米壓痕技術研究單晶硅低溫相轉變

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    瀏覽:- 發布日期:2017-12-01 15:07:38【

    [文章導讀] 納米壓痕能夠誘導液體靜壓力和剪切應力條件,納米壓痕結合拉曼顯微光譜、透射電子顯微鏡和原位電特性可被用于研究單晶硅相變。采用納米壓痕技術研究了單晶硅在292 K至210 K溫度范圍內的相變過程,得到負載位移曲線,

    納米壓痕能夠誘導液體靜壓力和剪切應力條件,納米壓痕結合拉曼顯微光譜、透射電子顯微鏡和原位電特性可被用于研究單晶硅相變。采用納米壓痕技術點擊了解詳情)研究了單晶硅在292 K210 K溫度范圍內的相變過程,得到負載位移曲線,并通過拉曼光譜檢測殘余壓痕,結合MD模擬結果確定了納米壓痕過程中的相態。


    納米壓痕儀

    結果表明,低溫對壓痕加載過程中Si-II的生成沒有影響,但隨著溫度的降低,彈出現象被抑制。 彈出發生的概率從260K急劇下降到230K。從Si-II轉變的Si-III / XII的生成和增長都被低溫抑制,只有α-Si作為最后相態。


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